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SI2312

型号：SI2312
功能类别：集成电路IC ,

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产品参数

【型号】:SI2312

【封装】:SOT-23

【包装】:3000

【品质】:

百分百全新原厂原装正品

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 31.8 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 18nC @ 5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 865pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.25W（Ta），2.1W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	31.8 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	18nC @ 5V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	865pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.25W（Ta），2.1W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3